Ⅱ-VI 族化合物半導體具有優(yōu)異的光電性能，在光電領(lǐng)域有著(zhù)廣泛應用。高質(zhì)量I-VI 族化合物薄膜制備是其 光學(xué)和光電器件應用的關(guān)鍵之一，針對國際上目前以常規物理氣相方法制備該類(lèi)薄膜材料存在的可控性不佳、成 本高等問(wèn)題，我們提出了一種低成本且高效的薄膜制備技術(shù)，同時(shí)采用常規表征手段結合正電子湮沒(méi)技術(shù)對材料 微觀(guān)結構和性能進(jìn)行分析。使用本技術(shù)制備的II-VI 族化合物薄膜材料具有成本低、質(zhì)量良好、可控性好等優(yōu) 點(diǎn)，可應用于太陽(yáng)能電池、紅外、透明導體、發(fā)光等領(lǐng)域。
